Type | Company | [sources] | |||
---|---|---|---|---|---|
Name | Konstruktorsko-tekhnolohichnyi instytut prykladnoyi mikroelektroniky Sybirskoho viddilennia Rosiiskoyi akademiyi nauk · Microelectronic Research and Development Center Novosibirsk · КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК · Конструкторсько-технологічний інститут прикладної мікроелектроніки Сибірського відділення Російської академії наук | [sources] | |||
Other name | IFP KTIPM SO RAN · KTIPM · Technological institute of applied microelectronics Siberion branch of Russian academy of sciences · Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук · Конструкторсько-технологічний інститут прикладної мікроелектроніки Сибірського відділення Російської академії наук | [sources] | |||
Incorporation date | [sources] | ||||
Dissolution date | [sources] | ||||
Legal form | Учреждение | [sources] | |||
Jurisdiction | Russia | [sources] | |||
Country | Russia | [sources] | |||
INN | 5408100057 · 5408105552 | [sources] | |||
KPP | 540801001 | [sources] | |||
OGRN | 1025403651283 · 1025403656300 | [sources] | |||
Registration number | not available | [sources] | |||
Address | 2/1 Akademika Lavrentyeva Avenue, Novosibirsk, 630090 · 630090, Россійська Федерація, Новосибірська область, м. Новосибірськ, вул. Ніколаєва, буд. 8 · 8 Nikolayeva Street, Novosibirsk, 630090 · УЛ. НИКОЛАЕВА Д.8, Г. НОВОСИБИРСК НОВОСИБИРСКАЯ, 630090 | [sources] | |||
Source link | eur-lex.europa.eu | [sources] | |||
Last change | Last processed | First seen |
The record has been enriched with data from the following external databases:
External dataset · Russia · FNS
eu-sancmap-fbe37b93d869a5427cf5448de566ea799368a4e1
· eu-2878-ad727c8761a1b8448d7bc097e9ca6e8e09dc7584
· eu-oj-b51f277027a0c8b34713badfb9319da9f91c39e0
· trade-csl-1a30f5e625ae4f6c67f3e1f0aef8af1d5e0dd503
· ua-nazk-company-348
· ua-nsdc-18632-konstruktorsko-tehnologicnij-institut-prikladnoi-mikroelektroniki-sibirskogo-viddilenna-rosijskoi-akademii-nauk
· ch-seco-52578
· trade-csl-dbdc8edce8178a4daf7ff8259be04735c05f5c32c6fc9042dc64652f
· ua-nabc-company-348-microelectronic-research-and-development-center-novosibirsk
· NK-2wZeMvL7zRH9hJ9SbHDKVR
· ru-inn-5408105552
For experts: raw data explorer
OpenSanctions is free for non-commercial users. Businesses must acquire a data license to use the dataset.
Directors | ||||
---|---|---|---|---|
Director | Role | Start date | End date | |
ПЕТР ВАСИЛЬЕВИЧ ЖУРАВЛЕВ | директор |
Successors | ||||
---|---|---|---|---|
Successor | Date | Start date | End date | |
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences | - | - | - | |
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences | - | - | - |